السلام عليكم ورحمة الله وبركاتة

أريد من الجميع المشاركة في خبراتهم عن نظام التكييف من نوع سبلت بشكل عام
بعيداً عن أسماء الماركات أو الأسعار
والقصد من هذا النقاش هو معرفة بعض الفنيات الخاصة بالسبلت
يعني أي نصيحة تقدمها من باب التجارب الي مريت فيها
أي أخطاء وقعت فيها وكنت تتمنى أن تكون على علم بها منذ البداية
طرق تركيب السبلت ( الوضعيات الصحيحة – الأماكن الصحيحة –

بعد الوحدة الداخلية عن الخارجية )
مواعيد الصيانة
أماكن وضع مفتاح الكهرباء الخاصة بالمكيف

وهذة نصيحة مني لكم بعد ….

تأكدوا ان ماسورة تصريف الماي اللي رايحة للحمام( اعزكم الله ) ما تكون قريبة من مستوى قاعدة فتحة التصريف اللي موجودة في ارضية الحمام لانها لو كانت قريبة من منها بشكل كبير وعندما تقوم بالاغتسال في او تغسل يدك مستوى الماي يرتفع وبالتالي يرجع داخل ماسوره المكيف وعقبها المكيف تلاقيه يقطر ماي.

شغلة ثانية تأكد ان العامل اللي سوا الماسوره في فتحة التصريف لزقها بشكل جيد او بالاصح بعضهم يقوم بالحرق حتى تلزق عدل.

مع العلم اني افضل ان الوحد من البدايةيخلي جميع ماسورات التكييف تروح للخارج في نقطة واحدة عشان يتفادى الكثير من المشاكل .

تجنب انك تعلق التلفزيون في الحائط تحت المكيف السبليت

لانه اذا نقط منه ماء فمباشرة بينزل على التلفزيون
وفيها شغلات ثانية لو تذكرتها بقول لكم عليها

 

جدول اختيار الماسوره الشعرية ( الكابلري) لفريون ٢٢ R-22
وبالنسبة لفريون ١٣٤ R-134 يتم زيادة ١٠٪؜ علي طول الكابلري
والجدول يشمل قدرة الكمبروسر من اقل قدرة رحتي ٥ حصان
ملحوظة : في حال تغير الكمبروسر يتم قراءة كتالوجاتة لانه يذكر فيه مقاس او موديل الكابلري المناسب له

 

نتابع في سلسلة الترانزستورات، ونتحدث اليوم عن ترانزستور هجين يعتبر تطبيقاً لترانزستورات BJT وترانزستورات FET، حيث يستفيد من ميزات كل منها..
متابعة مفيدة وممتعة..

الترانزستور ثنائي الوصلة ذو البوابة المعزولة Insulated Gate Bipolar Transistor:
يطلق عليه اختصاراً IGBT، وهو عبارة عن تقاطع أو تهجين بين ترانزستور الوصلة ثنائي القطبية Bipolar Junction Transistor BJT وترانزستور تأثير الحقل الكهربائي Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET، مما يجعل منه مفتاح الكتروني مثالي لدرجة كبيرة.
يجمع ترانزستور IGBT بين مزايا هذين الترانزستورين سوية، فهو يأخذ من ترانزستور MOSFET صفات ممانعة الدخل العالية (كلما ارتفعت مقاومة الدخل قلت قيمة التيار اللازم لقيادة الترانزستور) وسرعات التبديل الكبيرة (كلما ارتفعت سرعة التبديل زاد مردود وأداء الحمل) في حين يأخذ من ترانزستور BJT جهد الإشباع المنخفض. فنحصل بالنتيجة على نوع من الترانزستورات قادر على تحمل تيارات باعث – مجمع كبيرة جداً مقادة بواسطة تيار بوابة قيمته 0 أمبير تقريباً.

تقنية ترانزستور IGBT:
يستخدم هذا الترانزستور تقنية البوابة المعزولة Insulated Gate IG التي تتمتع بها ترانزستورات MOSFET والتي تشكل القسم الأول من اسم الترانزستور IGBT مضافاً لها مزايا أداء الخرج لترانزستورات الوصلة ثنائية القطبية التقليدية Bipolar Transistor BT والتي تشكل القسم الثاني من اسم الترانزستور IGBT. نحصل نتيجة لذلك على ترانزستور IGBT يملك قدرة تبديل خرج كبيرة مضافاً إليها خصائص النقل للترانزستورات ثنائية القطبية ويتم التحكم بجهده كما في حالة ترانزستور MOSFET.

يستخدم ترانزستور IGBT بشكل رئيسي في تطبيقات الكترونيات القدرة (الكترونيات القدرة: أحد فروع الهندسة التي تهتم بعملية التحكم الالكتروني في التطبيقات المختلفة بواسطة تيارات عالية)، المعرجات Inverter، والمبدلات Converters ومولدات القدرة Power Supplies، حيث يكون المطلوب الحصول على عنصر تبديل حالة صلبة (حالة صلبة تعني أنه لا يمتلك أي أجزاء ميكانيكية متحركة كالتي تملكها المرحلات المستخدمة في أنظمة القيادة الآلية للمحركات التحريضية)، ولا يمكن لترانزستورات القدرة BJT وMOSFET تحقيقه بشكل فردي، فالتيارات المرتفعة والجهود الثنائية العالية تكون متوفرة، ولكن ذلك يكون على حساب سرعات التبديل التي تكون منخفضة لدرجة كبيرة في ترانزستورات BJT، على خلاف ترنزستورات MOSFET التي تتمتع بسرعات تبديل عالية لكن كلفة تصميم مفاتيح تعمل على جهود وتيارات مرتفعة يكون باهظ الثمن وصعب الإنجاز.

فالميزة التي سنحصل عليها بواسطة ترانزستورات IGBT بالمقارنة مع ترانزستورات BJT و MOSFET هي تأمينها لربح قدرة أكبر من ترانزستور BJT مع إمكانية العمل تحت جهود مرتفعة وضياعات دخل منخفضة كما في ترانزستورات MOSFET.

آلية عمل ترانزستورات IGBT:
يعتبر تأثير ترانزستور IGBT مشابهاً لدمج تأثيري كل من ترانزستور تأثير الحقل FET (Field Effect Transistor) وترانزستور BJT ويمكن تمثيل ذلك على شكل دمج كل من الترانزستور FET و BJT بدارة دارلينغتون (دارة يتم فيها التحكم بتيار قاعدة ترانزستور الخرج عن طريق التحكم بتيار مجمع ترانزستور الدخل).
الشكل 1: الدارة المكافئة للترانزستور IGBT والرمز الالكتروني

 

نلاحظ من الشكل أن ترانزستور IGBT يمتلك ثلاث أطراف، فهو عنصر موصل يدمج مدخل ترانزستور MOSFET ذو البوابة المعزولة من النمط الناضب بخرج ترانزستور ثنائي الوصلة PNP ضمن دارة دارلينغتون، ويتم ترميز الأطراف كما يلي: المجمع (Collector) الباعث (Emitter) والبوابة (Gate)، حيث تكون النهايتان C،E متصلتان بمسار موصل أما النهاية G فتكون متصلة بنقطة التحكم.
إن نسبة التضخيم في التيار التي يتم الحصول عليها من ترانزستور IGBT يمكن تمثيلها كنسبة بين إشارة خرجه إلى إشارة دخله، وتجدر الإشارة إلى أنه في ترانزستورات BJT يتعلق تيار المجمع C بتيار القاعدة B بنسبة تكبير (ربح) تسمى النسبة بيتا β وتحسب من العلاقة:
IC=β.IB

أما بالنسبة لترانزستور تأثير الحقل الكهربائي نوع معدن – أوكسيد نصف ناقلMOSFET، فإنه لا وجود لتيار الدخل طالما أن البوابة معزولة عن القناة الحاملة للتيار الرئيسي، لذلك فإن ربح ترانزستور تأثير الحقل FET يكون مساوياً لنسبة التغير في تيار الخرج إلى التغير في جهد الدخل مما يجعل منها عنصراً ناقلاً، وهذه النتيجة مطبقة تماماً على ترانزستور IGBT وبالتالي يمكننا تمثيل الترانزستور IGBT كترانزستور قدرة من النوع BJT يتم التحكم بتيار قاعدته عن طريق التحكم بجهد بوابة الترانزستور MOSFET.

استخدام ترانزستور IGBT كمفتاح الكتروني مستقر:
عند استخدام الترانزستور IGBT كمفتاح الكتروني مستقر متحكم به static controlled switch ، فإن هذا الترانزستور يمتلك مستويات جهد وتيار مشابهة لترانزستور ثنائي القطبية BJT، حيث تقوم إشارة دخل الجهد الموجب الثابتة المطبقة عبر البوابة والباعث بالحفاظ على حالة العنصر IGBT في حالة التشغيل On State، أما في حال غياب إشارة الدخل فإن الترانزستور سيكون في حالة القطع Off State كما هي حالة في ترانزستورات BJT.
الشكل 2: خصائص ترانزستور IGBT

 

يتطلب الترانزستور IGBT قيمة جهد صغيرة تطبق على بوابته من أجل تشغيله لأنه عنصر ذو جهد متحكم به وذلك على خلاف ترانزستور الوصلة ثنائي القطبية BJT الذي يتطلب تيار قاعدة مطبق بشكل مستمر بكمية كافية للحصول على حالة الإشباع (القيمة المناسبة لتشغيله).
يعتبر الترانزستور IGBT عنصراً وحيد الاتجاه، أي أنه يقوم بتحويل التيار في الاتجاه الأمامي فقط من المجمع إلى الباعث على خلاف ترانزستور MOSFET الذي يمتلك قدرة التوصيل في الاتجاهين (حيث يكون عنصر متحكم به في الاتجاه الأمامي وغير متحكم به في الاتجاه العكسي).
إن الميزة الرئيسية لاستخدام ترانزستور IGBT (خلافاً لأنواع الترانزستورات الأخرى) هي العمل ضمن الجهود العالية ومقاومة التشغيل المنخفضة القيمة، بالإضافة لسهولة قيادته وسرعات التبديل العالية فيه، كما أن خاصية تيار قيادة البوابة الصفري يجعله خياراً مناسباً للتطبيقات المتوسطة السرعة ذات جهود التشغيل العالية كما يستخدم في تطبيقات التحكم بعرض النبضة Pulse Width Modulation PWM والتحكم بمغيرات السرعة وأنظمة توليد القدرة والمعرجات (محولات التيار المستمر إلى تيار متناوب) المستخدمة في أنظمة القدرة الشمسية بالإضافة لتطبيقات محولات التردد التي تعمل في مجال مئات الكيلوهرتز.
مقارنة بين ترانزستور IGBT وترانزستورات BJT و MOSFET
يمكن القول إن مبدأ التشغيل لدارات قيادة البوابة لترانزستور تأثير الحقل ذو البوابة المعزولة IGBT مشابهة لحد كبير لمبدأ تشغيل ترانزستور MOSFET ذو القناة الناضبة من النوع N أما الاختلاف الرئيسي فيكمن في أن المقاومة المقدمة من قناة التوصيل الرئيسية عند تدفق التيار في الترانزستور في حالة التشغيل ON State فتكون قيمتها أصغر بكثير في حالة الترانزستور IGBT، لذلك تكون مستويات التيار أعلى مقارنة بتلك في ترانزستور MOSFET.
يبين الجدول التالي مقارنة بين ترانزستور تأثير الحقل ذو البوابة المعزولة IGBT وكل من ترانزستورات BJT وMOSFET:

 

الخلاصة:
يمكن القول بأن ترانزستور IGBT هو عبارة عن عنصر تبديل نصف ناقل يملك خصائص خرج ترانزستور الوصلة ثنائي القطبية BJT، ولكن يتم التحكم به بنفس الطريقة التي يتم التحكم بها بترانزستور MOSFET.
إحدى مزايا ترانزستور IGBT الرئيسية هي بساطة قيادته في حالتي الوصل والفصل أو في المنطقة الخطية الفعالة أو كمضخم قدرة، وبوجود ضياعات ناقلية منخفضة عند التشغيل بالإضافة لقدرته على تبديل جهود مرتفعة بدون حدوث ضرر، فإن كل ذلك يجعل هذا الترانزستور مثالياً لقيادة الأحمال الحثية “التحريضية” كالوشائع والمحركات الكهرومغناطيسية.

دائرة رفع معامل القدرة pfc
وهي تطبيق عملي لدوائر الرفع مستمر مستمر boost converter

يمكن أن تصادفك دائرة pfc في بورات الشاشات بعد مرحلة التقويم مباشرة وقبل مكثف التنعيم
تسمى دائرة الرفع او دائرة تحسين معامل القدرة
مهمتها تقريب معامل القدرة إلى الواحد والتقليل من التوافقيات (الترددات غير المرغوبة)
للتوضيح معامل القدرة هو نسبة تشير إلى فرق الطور بين الجهد والتيار ويتبع لنوع الحمل تتراوح قيمته بين الصفر والواحد
والواحد هي أفضل شيء يمكن الحصول عليه لذلك تسعى الشركات لها
تتم إضافة دائرة دائرة الرفع (تصحيح معامل القدرة) (PFC) إلى دائرة التقويم والتنعيم لتقريب معامل القدرة إلى ١
تقوم هذه الدائرة برفع الجهد لحوالي ٣٩٠ ل ٤٠٠ فولت مستمر

 

 

 

تظهر الصور مجموعة من الدوائر وكلها تعمل على مبدأ رافع الجهد مستمر مستمر boost converter
المبدأ واحد موسفت (للتقطيع بتردد عالي) يتحكم به مذبذب وملف ومكثف وديود يمنع التيار العكسي
المبدأ مماثل تماما لدوائر البوست التي شرحتها سابقا حيث يتم تجميع الطاقة في الملف ويمررها الموسفت بشكل متقطع إلى الدائرة شاحنا المكثف ومغذيا الدارة
والديود لمنع التيارات العكسية
خلال فترة فتح الموسفت يغذي الملف الدائرة ويشحن المكثف
وخلال فترة إغلاق الموسفت يشحن الملف ويمد المكثف الحمل بالتيار
وبالتلاعب بدورة القدرة duty cycle لتكون حوالي ١٣٠% يكون الجهد الناتج ٤٠٠ فولت
ويتم التحكم بالموسفت من مذبذب سنشرح عنه لاحقا
في الصورة الثانية تم إضافة موسفت ثاني على التفرع لتوزيع الاحمل ولتقليل الحرارة
في الصورة الثالثة تم إضافة دارتي pfc تعملان بالتناوب لرفع الاستطاعة
في الصورة الأخيرة تم الاستعاضة عن جسر الديودات بجسر موسفتات مع ملفي دخل لتقليل التوافقيات وضياع الطاقة للحد الأدنى وهي تقنية متقدمة لتوحيد التيار من شركة توشيبا
بالنسبة للمذبذب فله تغذيتين راجعتين اساسيتين عبر مجزئات جهد (مقاومات بين الخرج والأرضي)
التغذية الراجعة التي تحدد دورة القدرة dt (تردد تقطيع الموسفت) وهي تتحسس إنخفاض جهد خرج الدائرة
والتغذية الراجعة لتحسس ارتفاع الجهد ومهمتها إيقاف تقطيع المذبذب لحماية الجهاز عند ارتفاع الجهد الخارج
وربما نجد أحيانا رجل لتحسس تيار الموسفت
كما ويكون في الملف الأسود ملفين أحدهما للبوست والثاني مقابل له يتصل مع المذبذب لتحسس تفريغ الملف
والأن للعملي

 

عند تعطل هذا القسم لربما تكمل الشاشة عملها ٱن كانت صغيرة ولكن سيزداد التيار (الأمبير) وتدخل الترددات الغير مرغوبة على القطع مما يسبب تلفها مع الوقت
أو تقلع الشاشة لكن تنطفأ مباشرة من تلقاء نفسها
وبالقياسات الكبيرة لن تقلع أبدا
العطل الشائع الأكبر في هذه الدائرة هو في مقاومات تحسس الجهد المنخفض الواحد ميغا مما يسبب رعشة في الإضاءة الخلفية أو عدم إقلاع الجهاز
كما ويمكن أن تقل قيمة إحدى مقاومات مجزئ تحسس ارتفاع الجهد مسببا توقف الدائرة
أما بالنسبة للفوتوكبلر فمهتمه مع الترانزستور بجانبه توصيل أمر التشغيل مع وجود عزل بين ال٥ فولت وجزء الجهد العالي وهو نادر التعطل
تلف الموسفت كما كل الأجهزة إما مقصور ويتلف الفيوز ويمكن أن يسبب تلف الأيسي أو مفتوح ويوقف دائرة الرفع
نتابع بقية دائرة البور في منشورات لاحقة إن أراد الزملاء ذلك
(الصورتين الأخيرات منقولات لدعم الشرح)
أتمنى أن أكون فد وفقت بالشرح ودمتم سالمين

 

 

 

 

ماذا يعني 1 حصان 🐎
القوة الحصانية .. يعني رفع حمل وزنه 75 كيلو جرام لمسافة متر ارتفاع خلال ثانية واحدة

الحصان هو اسم لعدة وحدات غير قياسية لحساب القدرة. نادراً ما تستخدم وحدة الحصان في السياق العلمي وذلك بسبب تعدد تعريفاتها ولوجود وحدة الواط القياسية. ومع ذلك فإن وحدة الحصان ما زالت مستخدمة في العديد من الصناعات لأسباب تاريخية خصوصاً في قياس القدرة القصوى لماكينات الاحتراق الداخلي للسيارات والشاحنات والحافلات والسفن.

1️⃣ وحدة الحصان الميكانيكية = 745.69987158227022 واط

2️⃣ وحدة الحصان المترية = 735.49875 واط

3️⃣ وحدة الحصان الكهربائية = 746 واط

4️⃣ وحدة الحصان للغلايات = 9809.5 واط

5️⃣ وحدة الحصان الهيدروليكية = 745.69987158227022 واط

6️⃣ وحدة الحصان الهوائية = = 745.69987158227022 واط

 

 

(صدقة جارية على روح ولدى الحاج متولى برجاء الدعاء له)
تعديل الثلاجه الكريازى الكارته إلى توشيبا بـ تايمر
( دائره يابانى )
مع تشغيل سخان الحوض طوال فترة الاذابه حتى بعد فصل الثرموديسك